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## Questão 1
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> **Alternativa correta:** Combinação de elétrons e lacunas, criando uma barreira de potencial.
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**Explicação:**
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Na junção entre o silício tipo P e tipo N ocorre difusão de portadores de carga: elétrons do lado N atravessam a junção e se recombinam com lacunas do lado P. Esse processo elimina os portadores livres na região próxima à interface, formando a chamada **região de depleção**. Nessa região permanecem apenas íons fixos (positivos no lado N e negativos no lado P), criando um **campo elétrico interno** e uma **barreira de potencial** que dificulta a passagem de novos portadores. Essa barreira é essencial para o funcionamento do diodo.
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## Questão 2
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> **Alternativa correta:** Aumento de elétrons livres como portadores de carga.
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**Explicação:**
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A dopagem tipo N é realizada com a adição de átomos pentavalentes (como fósforo), que possuem cinco elétrons na camada de valência. Quatro elétrons participam das ligações com o silício, enquanto o quinto fica fracamente ligado e se torna um **elétron livre**. Isso aumenta significativamente a quantidade de elétrons disponíveis para condução elétrica, tornando-os os principais portadores de carga no material.
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## Questão 3
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> **Alternativa correta:** Elas atuam como portadores de carga positiva, permitindo a condução de corrente.
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**Explicação:**
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Na dopagem tipo P, são adicionados átomos trivalentes (como boro), que possuem apenas três elétrons na camada de valência. Isso gera uma deficiência de elétron na estrutura cristalina, chamada **lacuna**. A lacuna se comporta como uma carga positiva móvel. Quando um elétron ocupa essa lacuna, outra lacuna surge em posição adjacente, criando um efeito de deslocamento. Assim, as lacunas funcionam como portadores de carga positiva e permitem a condução elétrica.
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## Questão 4
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> **Alternativa correta:** A corrente flui através da junção, superando a barreira de depleção.
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**Explicação:**
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Ao aplicar uma **polarização direta** (lado P no positivo e lado N no negativo), a barreira de potencial diminui e a região de depleção se estreita. Quando a tensão aplicada é suficiente para superar a barreira interna (aproximadamente 0,7 V para o silício), os portadores de carga conseguem atravessar a junção com facilidade, permitindo a passagem significativa de corrente elétrica.
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## Questão 5
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> **Alternativa correta:** A região de depleção na junção P-N atua como uma barreira natural que impede o fluxo de corrente elétrica em condição de polarização reversa.
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**Explicação:**
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Na **polarização reversa** (lado P no negativo e lado N no positivo), a região de depleção se amplia e a barreira de potencial aumenta. O campo elétrico interno se fortalece, dificultando ainda mais a travessia dos portadores de carga. Como resultado, a corrente elétrica é praticamente bloqueada (existindo apenas uma pequena corrente de fuga), característica que permite ao diodo conduzir corrente predominantemente em um único sentido.
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